提起金屬相較於半導體电子濃度大嗎，大家都知道，有人問N型半導體與金屬中誰的自由电子多？另外，還有人想問為什麼金屬的導電性比半導體好，你知道這是怎麼回事？其實金屬电子濃度是半導體的多少倍？下面就一起來看看N型半導體能否等同一般帶自由电子的導體(比如一般金屬），希望能夠幫助到大家！
金屬相較於半導體电子濃度大嗎
如果你對電阻要求不高，高摻雜的半導體是可以作為導體用的。對過你希望電阻盡量小，則不可以代替。
通常金屬的电子濃度比半導體大的多。半導體的电子濃度只有10的20次方，就到頭了。金屬电子濃度可以超過10的22次方。因此，即使高摻雜的半導體的電阻還是要大於金屬的電阻。
另外，半導體的電阻對溫度的性要比金屬大很多。
最後，如果你把兩個金屬接在一起，通常也會有不錯的導電性，接觸電阻不會太大，但是如果把金屬和半導體接在一起，就要考慮是否會變成肖特基接觸了。
金屬相較於半導體电子濃度大嗎：N型半導體與金屬中誰的自由电子多？
當然是金屬中的自由电子多。
在純凈的硅晶體中摻入Ⅴ族元素（如磷、砷、銻等），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導體。這類雜質提供了帶負電（Negative）的电子載流子，稱他們為施主雜質或n型雜質。在N型半導體中，自由电子為多子，空穴為少子，主要靠自由电子導電，由於N型半導體中正電荷量與負電荷量相等，故N型半導體呈電中性。自由电子主要由雜質原子提供，空穴由熱激發形成。摻入的雜質越多，多子（自由电子）的濃度就越高，導電性能就越強。
該半導體中，是由摻入的V族元素改變原硅晶體的原子結構，提供自由电子。
而金屬中每個原子都能夠提供自由电子。
金屬相較於半導體电子濃度大嗎：為什麼金屬的導電性比半導體好
半導體中电子與空穴統稱載流子，將純凈的半導體製作成單晶體，即為本徵半導體。在室溫下，SI硅的本徵載流子濃度為1.4310^^-3,GE為2.3810^^-3,另外，SI的原子密度為5×10^22/cm^3,GE為4.4×10^22/cm^3.相比之下，只有極少數原子的價电子受激發產生电子空穴對。綜上，本徵半導體的導電能力是很弱的。一般通過工藝參雜，來提高載流子濃度。
可參考模擬電路中的知識。更深的有半導體物理
金屬相較於半導體电子濃度大嗎：金屬电子濃度是半導體的多少倍？
其實半導體與導體之間沒有準確的區別定義，是漸變的。一般情況下。金屬电子濃度為半導體的5倍以上。
導體和半導體區別
一、概念不同
1、導體
導體（conctor）是指電阻率很小且易於傳導電流的物質。導體中存在大量可自由移動的帶電粒子稱為載流子。在外電場作用下，載流子作定向運動，形成明顯的電流。
金屬电子濃度是半導體的多少倍？
2、半導體
半導體（semiconctor），指常溫下導電性能介於導體（conctor）與絕緣體（insulator）之間的材料。半導體在收音機、電視機以及測溫上有着廣泛的應用。如二極管就是採用半導體製作的器件。
二、分類不同
1、導體
1）第一類導體
金屬是最常見的一類導體。金屬中的原子核和內層电子構成原子實，規則地排列成點陣，而外層的價电子容易掙脫原子核的束縛而成為自由电子，它們構成導電的載流子。
2）第導體
電解質的溶液或稱為電解液的熔融電解質也是導體，其載流子是正負離子。實驗發現，大部分純液體雖然也能離解，但離解程度很小，因而不是導體。
3）其他導電介質
電的絕緣體又稱為電介質。它們的電阻率極高，比金屬的電阻率大倍以上。絕緣體在某些外界條件（如加熱、加高壓等）影響下，會被“擊穿”，而轉化為導體。絕緣體或電介質的主要電學性質反映在電導、極化、損耗和擊穿等過程中。
2、半導體
半導體材料很多，按化學成分可分為元素半導體和半導體兩大類。鍺和硅是最常用的元素半導體；半導體包括第Ⅲ和第Ⅴ族（、磷化鎵等）、第Ⅱ和第Ⅵ族（、硫化鋅等）、氧（錳、鉻、鐵、銅的氧）。
以及由Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族組成的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等。
三、特性不同
1、導體
1）熱敏特性
半導體的電阻率隨溫度變化會發生明顯地改變。
2）光敏特性
半導體的電阻率對光的變化十分。有光照時、電阻率很小；無光照時，電阻率很大。
3）摻雜特性
在純凈的半導體中，摻人極微量的雜質元素，就會使它的電阻率發生極大的變化。
2、半導體
半導體特性∶摻雜性，熱敏性，光敏性，負電阻率溫度特性，整流特性。
1）在形成晶體結構的半導體中，人為地摻入特定的雜質元素，導電性能具有可控性。
2）在光照和熱輻射條件下，其導電性有明顯的變化。
以上就是與N型半導體能否等同一般帶自由电子的導體(比如一般金屬）相關內容，是關於N型半導體與金屬中誰的自由电子多？的分享。看完金屬相較於半導體电子濃度大嗎后，希望這對大家有所幫助！